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【编者按】2024年度IC风云榜再度升级，奖项扩展至35个、榜单增至59项，不仅在形式和深度上焕然一新，而且分类更加科学全面，产业触达程度更深、行业影响力持续扩大。本届评委会由半导体投资联盟超100家会员单位、500+半导体行业CEO共同担任，获奖名单将于2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上隆重揭晓，激发产业创新潜能，树立产业新标杆。
集微网消息，得益于人工智能、物联网和云计算等新兴技术的快速发展，中国数据正在迎来爆发式增长，算力在经济发展中的重要性日益凸显，而存力则被视为算力的基石。
东芯半导体股份有限公司成立于2014年，总部位于上海，在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司，是目前中国大陆少数能够同时提供 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片完整解决方案的公司，致力于用独立自主的知识产权、稳定的供应链体系和高可靠性的产品为客户提供高品质的存储产品及服务，产品广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。
东芯半导体设计研发的1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。
东芯半导体凭借“SLC NAND Flash”竞逐IC风云榜“年度技术突破奖”成为候选企业。SLC NAND Flash产品采用浮栅型工艺结构OB哈希游戏，存储容量覆盖512Mb至32Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配 3.3V/1.8V两种电压，可满足客户在不同应用领域及应用场景的需求。
其中，SPI NAND Flash单芯片设计的串行通信方案，引脚少、封装尺OB哈希寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，并带有内部ECC模块，使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，又提升了稳定性。现拥有38nm及2xnm的成熟工艺制程，目前工艺制程已经推进至1xnm先进工艺制程。PPI NAND Flash兼容传统的并行接口标准，高可靠性。
东芯半导体的产品可广泛应用于网络通信、监控安防、消费类电子、工业与医疗等领域。在现OB哈希有应用领域的基础上，东芯半导体也在持续加大对物联网、智能硬件应用、汽车电子、医疗健康等新兴领域的布局和开拓。东芯半导体矢志成为领先的存储芯片设计公司，服务全球客户。
2024半导体投资年会暨ICOB哈希风云榜颁奖典礼将于2023年12月举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行中，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
“年度技术突破奖”旨在表彰2023年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
1、深耕半导体某一细分领域，2023年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。